Als de vacuüm ultraviolette laser kan worden gericht in een kleine straalvlek, kan deze worden gebruikt om de structuur van mesoscopische materialen te bestuderen en nano-objecten met betere precisie te maken.
Om dit doel te bereiken, hebben Chinese wetenschappers een VUV-lasersysteem van 177 nanometer uitgevonden dat submicronfocus bij lange brandpuntsafstanden kan bereiken.
Een onderzoeksresultaat gepubliceerd in "Light Science &applications" (LightScience&Applications) toont aan dat onderzoekers een 177nmVUV laser scanning foto-elektrische emissie microscoopsysteem hebben ontwikkeld met behulp van een bolvormige aberratievrije stripplaat, die zich op een lange brandpuntsafstand bevindt (——45mm) De bodem heeft een brandpuntspunt van<>
In vergelijking met de DUV-laserbron met ruimtelijke resolutie die momenteel wordt gebruikt voor ARPES, kan de 177nmVUV-laserbron ARPES-meting helpen om een grotere momentumruimte te bedekken en een betere energieresolutie hebben.
Het VUV-lasersysteem heeft een ultralange brandpuntsafstand (-45 mm), ruimtelijke resolutie van submicron (-760nm), ultrahoge energieresolutie (-0,3meV) en ultrahoge helderheid (-355MWm-2). Het kan direct worden toegepast op wetenschappelijke onderzoeksinstrumenten zoals foto-elektrische emissie elektronenmicroscoop (PEEM), hoek-opgeloste foto-elektronenspectrometer (ARPES), diepe ultraviolette laser Raman spectrometer.
Op dit moment heeft het systeem de fijne energiebandkenmerken van verschillende nieuwe kwantummaterialen onthuld, zoals quasi-eendimensionale topologische supergeleider TaSe3, magnetische topologische isolatoren (MnBi2Te4) (Bi2Te3) m-familie enzovoort.